報告題目：氧化鎵薄膜生長與光電性能研究

報  告 人：曹偉偉 副研究員

報告時間：2024年12月12日上午10:00

報告地點(diǎn)：輕工學(xué)院學(xué)術(shù)報告廳（實驗樓1B112）

研究生院 輕工科學(xué)與工程學(xué)院（柔性電子學(xué)院）

                                                                                                                                             2024年12月10日

報告人簡介：

曹偉偉，副研究員，中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所空間科學(xué)微光探測技術(shù)研究室副主任，瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國家重點(diǎn)實驗室光電探測器骨干成員，中國科學(xué)院超快診斷重點(diǎn)實驗室空間微光核心探測器技術(shù)攻關(guān)組組長。長期從事電真空、半導(dǎo)體光電探測器材料與器件工藝技術(shù)研究和空間科學(xué)探測應(yīng)用。熟悉InGaAs、Ga2O3等材料與器件體系，掌握單光子成像探測器、電真空與半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合的光電混合探測（HPD）等光電探測器件的開發(fā)。所研制的紫外單光子陽極探測器搭載電離層成像探測儀在軌穩(wěn)定運(yùn)行4年，負(fù)責(zé)的一體化IsCMOS相機(jī)支撐高能宇宙輻射探測設(shè)施（HERD）完成國際聯(lián)合評審。